田瑾，恒达平台電學基礎教研室黨支部書記🏌🏽♂️，副教授。西安電子科技大學工學博士🙅♀️。中共黨員🤾🏽♂️♿️。
從事專業🦹🏻：電磁場與微波技術
電話👩🏻🦼➡️：021-67791129郵箱：jintian0120@foxmail.com
研究方向：計算電磁學🧎🏻➡️，異構並行計算， 特高壓線路檢測
近三年主要成果：
一、代表性課題：
1.“面向電磁應用的CPU/GPU異構系統存儲及架構優化”👨🏿🎤，上海市自然科學基金👩🏻🎓，2015.01-2017.12.
2.“高校科技國際化的全球趨勢及對我國的啟示”，華東師範大學智庫成果培育項目，2016.11-2017.10.
二🌹💪🏻、代表性論文：
1.程凱,田瑾,吳飛,汪茹,李洪芹.基於分塊存儲格式的稀疏線性系統求解優化[J].計算機應用研究,2019,36(11).優先出版
2.汪茹,田瑾（通訊作者）,吳飛,程凱,張振華.一種基於有限元法的超高壓輸電線路三維電場計算方法[J].電子測量與儀器學報,2019,錄用.
3.程凱,田瑾,馬瑞琳.基於GPU的高效稀疏矩陣存儲格式研究[J].計算機工程,2018,44(08):54-60.
4.Tian J, Wu F, Zeng G and Gong L. A Modified Storage Format for Accelerating SPMV[C]. Proceedings of the Sevenfth International Joint Conference on Computational Sciences and Optimization, 547-550, Beijing, China, 2014.07.04-06.（EI）
5.Tian J, Gao F, Sun X K and Gong L. An efficient column-major ordering format for finite element analysis [C]. Proceedings of the Sevenfth International Joint Conference on Computational Sciences and Optimization, 562-565, Beijing, China, 2014.07.04-06.（EI）
6.Tian J, Gong L, Wu F, Zeng G H. An Efficient Gpu Acceleration Format for Finite Element Analysis[J]. Journal of Electronics(China), 30(6): 1-10, 2013.（Scopus）
7.Tian J, Gong L, Wu F, Zou R and Guohui Zeng. The Storage Formats for Accelerating SMVP on A GPU[C]. Proceedings of the Forth International Conference on Business Intelligence and Financial Engineering, 513-516, Hangzhou, China, 2013.11.14-16.（EI）
8.Tian J, Gong L. Novel Pre-treatment for Inhomogeneous Dielectric Media in Finite Element Analysis[C]. Proceedings of the Fifth International Joint Conference on Computational Sciences and Optimization, 699-701, Harbin, China, 2012.06.24-26.（EI）
9.田瑾,龔利,史小衛,徐樂.一種用於計算矢量有限元方程組的不完全分解預處理方法[J].重慶郵電大學學報(自然科學版), 24(03), 349-353, 2012.
10.龔利,田瑾*（通訊作者）.我國能源補貼對能源結構的影響效應研究[J].華東經濟管理, 28(04), 50-53, 2014.
11.龔利,田瑾*（通訊作者）.碳減排政策的影響效應研究綜述[J].華東經濟管理, 27(07), 160-163, 2013.
12.Gong L, Tian J*（通訊作者）. Model for Renegotiation in Infrastructure Projects with Government Guarantee[C]. Proceedings of the Fifth International Conference on Business Intelligence and Financial Engineering, 646-648, Lanzhou, China, 8, 18-21, 2012.（EI）
